這幾年，Intel以空前的力度推進先進制程工藝，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領先地位，現在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝，在未來鞏固自己的領先地位。

目前，Intel正在按計劃實現其“四年五個制程節(jié)點”的目標，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規(guī)模量產。

其中，Intel 3作為升級版，應用于服務器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續(xù)發(fā)布，其中前者首次采用純E核設計，最多288個。

Intel 20A和Intel 18A兩個節(jié)點正在順利推進中，分別相當于2nm、1.8nm，將繼續(xù)采用EUV技術，并應用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術。

憑借它們兩個，Intel希望能在2025年重奪制程領先性。

之后，Intel將繼續(xù)采用創(chuàng)新技術，推進未來制程節(jié)點的開發(fā)和制造，以鞏固領先性。

其中一個關鍵點就是High NA EUV技術，而數值孔徑（NA）正是衡量收集和集中光線能力的指標。

通過升級將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學系統，High NA EUV光刻技術能夠大幅提高分辨率，從而有助于晶體管的進一步微縮。

作為Intel 18A之后的下一個先進制程節(jié)點，Intel 14A 1.4nm級就將采用High NA EUV光刻技術。

為了制造出特征尺寸更小的晶體管，在集成High NA EUV光刻技術的同時，Intel也在同步開發(fā)新的晶體管結構，并改進工藝步驟，如通過PowerVia背面供電技術減少步驟、簡化流程。

此外，Intel還公布了Intel 3、Intel 18A、Intel 14A的數個演化版本，以幫助客戶開發(fā)和交付符合其特定需求的產品。

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