1.4nm!臺積電下一代半導體先進制程技術曝光
4月24日,臺積電在其舉辦的2025年北美技術論壇上曝光了下一世代先進邏輯制程技術A14(即1.4nm制程技術)。
2025-04-28 11:01:10
來源:中國電子報、電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 楊鵬岳??

4月24日,臺積電在其舉辦的2025年北美技術論壇上曝光了下一世代先進邏輯制程技術A14(即1.4nm制程技術)。臺積電表示,A14制程技術計劃于2028年開始生產(chǎn),截至目前開發(fā)進展順利,良率表現(xiàn)優(yōu)于預期進度。

據(jù)悉,與2025年稍晚時間進入量產(chǎn)的N2制程相比,A14將在相同功耗下,提升15%的速度;或在相同速度下,降低30%的功率,同時邏輯密度增加超過20%。臺積電將其TSMC NanoFlex標準單元架構(gòu)發(fā)展為NanoFlex Pro,以實現(xiàn)更好的效能、能源效率和設計靈活性。

臺積電表示,A14制程技術體現(xiàn)了公司在N2制程上的重大進展,此技術旨在通過提供更快的運算和更好的能源效率來推動人工智能(AI)轉(zhuǎn)型,并有望通過增強終端AI功能(on-board AI capabilities)來強化智能手機功能。

臺積電董事長魏哲家表示:“我們的客戶不斷展望未來,而臺積電的先進技術和制造為他們提供了可靠的創(chuàng)新藍圖。臺積電的先進邏輯技術,例如A14,是連接實體和數(shù)字世界的全方位解決方案組合的一部分,促進客戶創(chuàng)新,推動AI未來?!?/p>

值得關注的是,此次除了A14,臺積電還發(fā)布了新的邏輯制程、特殊制程、先進封裝和3D芯片堆棧技術,應用于高性能計算(HPC)、智能手機、汽車和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等領域。

具體來看,在高性能計算領域,臺積電持續(xù)推進晶圓上芯片基板(CoWoS) 技術,計劃于2027年實現(xiàn)9.5 reticle size CoWoS 的量產(chǎn),將12個或更多HBM 堆棧與臺積電領先的邏輯技術集成在一個封裝中。在智能手機領域,臺積電通過其最新一代的射頻技術N4C RF支持邊緣設備滿足AI需求。N4C RF技術計劃在2026年第一季進入試產(chǎn)。在汽車領域,臺積公司通過N3A制程滿足客戶需求,目前N3A正處于AEC-Q100第一級驗證的最后階段,并不斷改良。在物聯(lián)網(wǎng)領域,臺積電表示,公司先前公布的超低功耗N6e制程進入生產(chǎn),其將繼續(xù)推動N4e拓展未來邊緣AI的能源效率極限。

責任編輯:楊鵬岳

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